晶振匹配电容是怎么算的呢（晶振电路中电容是如何选择的）

晶振要配多大电容?

晶振电路常用的负载电容是6pf~10pf，12pf，15pf，16pf，18pf和20pf，22pf和30pf比较大，一盘是外围电容才用这么大的。

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ，但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的，所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择，一般KHZ级的都是用1M，MHZ级别的用10M。

比如下面这个是stm32F060C6，写着5-20。像有的103是5-25以上，电容是是有计算步骤的，虽然22pf用的可能比较多，你看看你的是什么型号然后去找对应的原理图做参考。stm32有很多种，是有区别的。

单片机晶振电路的两个瓷片电容是20～33PF 。51单片机最小系统：时钟电路51 单片机上的时钟管脚：XTAL1（19 脚） ：芯片内部振荡电路输入端。XTAL2（18 脚） ：芯片内部振荡电路输出端。

晶振都有各自的特性，还是要结合实现来判断电容的大小值。在两者内，C1和C2值越低越好。最好C2值大于C1值，C2值偏大虽有利于振荡器的稳定，比较常用的取值是15p-30p之间。

无源晶振电容如何匹配

高频晶振，30pF；低频晶振，100pF；串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。

无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容 一个12M晶振的负载电容为15PF，那么在匹配15PF的电容是，晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。

无源晶振的匹配电容应依照晶振数据手册(datasheet)所载负载电容值来换算。并符合 CL = ((C1+Ci)*(C2+Co)/(C1+Ci+C2+Co)) + Cstray 是的，非门是三角形加小圆圈。但本电路架构只能使用 CMOS 非门。

这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。

负载电容。一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。

电路结构与无源晶振不匹配会导致产生频率不够稳定、停止起振或振荡不稳定等问题。解决晶振不起振至少要对以下三个要素：对振荡频率（频率匹配）、振荡裕度（负阻抗）和激励功率的三项进行评估。

无源晶振的匹配电容电阻有没有计算公式,我用的是4.096MHz的,最好给...

1、无源晶振的匹配电容应依照晶振数据手册(datasheet)所载负载电容值来换算。并符合 CL = ((C1+Ci)*(C2+Co)/(C1+Ci+C2+Co)) + Cstray 是的，非门是三角形加小圆圈。但本电路架构只能使用 CMOS 非门。

2、电容在交流电路里的电阻叫做容抗模，叫做Xc，计算公式为Xc=1/(ωC)=1/(2πfC)，f为频率，单位Hz，ω=2πf为角频率，单位1/s。可以看出，ω=2πf=0时电容容抗模Xc为无穷大，所以说电容在直流电路中相当开路。

3、容抗公式：Xc＝1/ωc (100+j200-j400)/(100+j200)*(-j400)=-32+24j。这个就是复数的计算，反复变形就能算出来。实验证明，容抗和电容成反比，和频率也成反比。

4、计算电容的阻抗：假设有一个电容 C = 20 μF，要计算在频率为 100 Hz 的交流电源下的阻抗。解电容的阻抗公式为 Z = 1 / (jωC)，其中 j 是虚数单位，ω 是角频率。

5、电路结构与无源晶振不匹配会导致产生频率不够稳定、停止起振或振荡不稳定等问题。解决晶振不起振至少要对以下三个要素：对振荡频率（频率匹配）、振荡裕度（负阻抗）和激励功率的三项进行评估。

6、建议您记住下面这个阻抗公式，对任何电网络（包括晶振/谐振器）都适用：Z=R+j(wL-1/wC)，其中w表示频率的角速度 （1）、wL-1/wC=0的时候，Z=R，表现为纯电阻。（2）、w减小时，wL-1/wC0，表现为容性。

晶振的老搭档负载电容要怎么搭配才好

（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。（2）：在许可范围内，C1，C2值越低，越接近，越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。

晶振只能选择相同频率的，没有其他选择，电容的大小对频率只有微调作用，无法改变晶振频率。

无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容，所以，要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12M晶振的负载电容为15PF，那么在匹配15PF的电容是，晶振输出的才是12M。

通常有3种规格：高频晶振，30pF；低频晶振，100pF；串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。

总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。

实际接电容比晶体的标称电容小，输出的频率就比晶体标称的频率要偏高（晶体负载电容对晶体频率起微调作用），所以最终还是要看芯片所要求的这实际频率，C1，C2对晶体的起振没多大影响，但对输出频率会有差别。

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