选用晶振负载电容注意哪些(晶振电路负载电容计算)

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晶振的常见注意事项有哪些

注意电压在使用X TAL1和XTAL2口时,禁止接入5V电压。在接入CMOS时钟输入时,需要格外小心,以免损坏设备。布局至关重要晶体振荡电路布局对PCB板至关重要。建议将晶体紧邻XTAL引脚放置,并为其引脚接入微调电容(10PF~33PF)。布线力求简短,并使用地线屏蔽,有效防止噪声和干扰。

抗冲击晶振可能在某些条件下受到损坏。请勿使用受过冲击的晶体,例如在贴装过程中或跌落后使用。辐射避免照射晶体,因为在辐射环境中暴露可能会导致产品性能受到损害。化学制剂/PH值环境请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏晶体。

第一点:晶振的频率(Frequency)如果PCBA上的芯片设计方案已经确定,则必须选择与之相配的频率晶振,否则将导致系统不工作。第二点:负载电容(CL)首先确认选择的是无源晶振,那么要根据芯片方案所需晶振负载参数,选择对应负载电容参数的晶振。

选择质量好的晶振、选择损耗小的晶振电容。X TAL1和XTAL2口不要接入5V电压,在接入CMOS时钟输入时,要注意。晶体振荡电路部分对在PCB的板上布局非常敏感,应将晶体尽可能地靠近器件XTAL引脚,并在晶体引脚接上微调(10PF~33PF)电容。

51单片机晶振上接的电容如何选择

1、-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影响不大,常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P,单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。

2、EA/VPP(31 脚) 的功能和接法51 单片机的EA/VPP(31 脚) 是内部和外部程序存储器的选择管脚。当EA 保持高电平时,单片机访问内部程序存储器;当EA 保持低电平时,则不管是否有内部程序存储器,只访问外部存储器。

3、这个好像没有固定的计算方法,大多靠经验来选择,无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容,一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容,大些的电容虽有利于振荡的稳定,但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等,大致都是一个二十皮法量级。

4、电源滤波电容根据电源情况,比如47uf、100uf;复位电容10uf;复位电阻10k;晶振匹配电容根据晶振频率,一般是30p。

5、PF,18PF,20PF,33PF,所以C1会更高,如果按芯片的要求C1=5PF的,根据晶体的理论,实际接电容比晶体的标称电容小,输出的频率就比晶体标称的频率要偏高(晶体负载电容对晶体频率起微调作用),所以最终还是要看芯片所要求的这实际频率,C1,C2对晶体的起振没多大影响,但对输出频率会有差别。

晶振的老搭档负载电容要怎么搭配才好

(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。(2):在许可范围内,C1,C2值越低,越接近,越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。

晶振只能选择相同频率的,没有其他选择,电容的大小对频率只有微调作用,无法改变晶振频率。

无源晶振的负载电容,其实也是匹配电容,所以,要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12M晶振的负载电容为15PF,那么在匹配15PF的电容是,晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF,那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。

查它的型号手册,有“负载电容”的规范。通常有3种规格:高频晶振,30pF;低频晶振,100pF;串联晶振,无穷大(即不用电容)。根据振荡需要,可以把负载电容分解为几个,例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容,可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。

这两个电容叫晶振的负载电容,分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度,也是使振荡频率更稳定。实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点。 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的。

-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影响不大,常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P,单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。

晶振两边的电容要怎样选

晶振两边的电容一般直接使用20-30pF的瓷片电容器即可。

-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影响不大,常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P,单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。

(1):在容许范围内,C1,C2值越低越好。(2)C值偏大虽有利于振荡器的安稳,但将会增加起振时间。(3):应使C2值大于C1值,这么可使上电时,加快晶振起振。晶振的起振原因分析 在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中,就需要留心负载电容的选择。

晶振都有各自的特性,还是要结合实现来判断电容的大小值。在两者内,C1和C2值越低越好。最好C2值大于C1值,C2值偏大虽有利于振荡器的稳定,比较常用的取值是15p-30p之间。在实际电路中,也可以通过示波器观察振荡波形来判断振荡器是否工作在最佳状态。

晶振负载电容要包括振荡器的分布电容,为了性能稳定,晶振、电容、集成块要尽量挨近,一般取15~30pF,两个电容值一般相等,也不一定都要一致,由调试决定。

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晶振的负载电容越大驱动能力越强

1、晶振的负载不能确认的话,电容很难匹配,起振电容无法充电放电,晶振也就起振不了;当分布电容与晶振电容值是相等时,就可以让晶振发出谐振频率了。电容大小能影响晶振频率的稳定度和相位,越小价格也会越高。所以这个负载还决定着这个其晶振本身的一个价格。

2、负载电容与的晶振的关系:负载电容越大,晶振谐振电阻越小,电路越容易起振,超过一定值电路会失去振荡平衡而停振。反之,负载电容越小,晶振谐振电阻越大,电路越不容易起振。当然最理想的环境是不加负载电容,晶振直接工作在自身的谐振频率上。

3、大乱斗阿离 1 小时前 · 超过81用户采纳过TA的回答 关注 你是否曾经疑惑,为什么晶振两脚的电容被称为负载电容?它又扮演着怎样的角色呢?本文将为你详细解答这些问题。晶振的得力助手负载电容是晶振的得力助手,帮助晶体振荡器起振并稳定在标称频率。

4、实际上调整的负载电容时,就是在调整晶振的输出频率。那么如何确定这个电容值,你就一目了然了,将电容换成可变电容,在输出端连接频率计,调整可变电容,直到输出频率为你所需要的频率时,这时的可变电容值就是你所需要的负载电容值。

5、Rf犹如一个精准的反馈调整器,确保信号180度反转,构建出稳定的负反馈放大系统,避免了无序振荡的可能。负载电容的微妙平衡负载电容CL,如同晶振的呼吸之源,它的精确值关乎晶体输出频率的稳定性。当晶体的实际等效电容与标称负载电容有偏差,可能会导致频率偏离预期,这就是我们所说的频偏。

如何选择单片机晶振上面的电容

1、-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影响不大,常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P,单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。

2、stc89c52rc单片机复位电路可配10uf的复位电容和10k的电阻就行。

3、选择非电解电容,一般使用陶瓷电容,常见的单片机选择22pF即可。

4、(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。(2):在许可范围内,C1,C2值越低,越接近,越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。

5、一般的晶振的负载电容为15pF或15pF,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22pF的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。

6、这个好像没有固定的计算方法,大多靠经验来选择,无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容,一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容,大些的电容虽有利于振荡的稳定,但会增加起振时间。一般常用的电容有12PF、15PF、22PF、33PF等,大致都是一个二十皮法量级。

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