晶振电容多少（25mhz晶振电容）

51单片机晶振上接的电容大小该如何选择

1、EA/VPP（31 脚） 的功能和接法51 单片机的EA/VPP（31 脚） 是内部和外部程序存储器的选择管脚。当EA 保持高电平时，单片机访问内部程序存储器；当EA 保持低电平时，则不管是否有内部程序存储器，只访问外部存储器。

2、电源滤波电容根据电源情况，比如47uf、100uf；复位电容10uf；复位电阻10k；晶振匹配电容根据晶振频率，一般是30p。

3、所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。

4、实际接电容比晶体的标称电容小，输出的频率就比晶体标称的频率要偏高（晶体负载电容对晶体频率起微调作用），所以最终还是要看芯片所要求的这实际频率，C1，C2对晶体的起振没多大影响，但对输出频率会有差别。

5、这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。

8兆晶振应该配多少的电容

需要连接两个22pF的电容，用于稳定晶振的震荡频率。

M匹配的负载电容可以有9PF，12PF，16PF，20PF，如果是外接电容那么至少要大一倍。

这个你去看手册，去电气特性里面找，比如下面这个是stm32F060C6，写着5-20。像有的103是5-25以上，电容是是有计算步骤的，虽然22pf用的可能比较多，你看看你的是什么型号然后去找对应的原理图做参考。

16M晶振要配多大电容

需要有外加的电路才能起振的，所需的负载一般和使用的环境等有关，这多是由电路的设计中决定的，负载小到5pF，大到100pF以上都有。这个负载电容影响晶振的工作频率。

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

应该芯片说明书上会注明建议你使用多大的负载范围。 一般情况下是20PF晶振 。晶振两端配33PF电容就差不多了。

KHz的话，往往是圆柱形3*8或者2*6封装，匹配电容选15pF的；M级的晶振，比如4MHz，10592MHz，往往是选择49S封装的，匹配电容选20pF的。具体还是看你们自己电路板上设计的电容之类的情况。

“测量24M晶振的时候显示频率50Hz”这显然是不对的。这只能有两种解释：晶体没有振荡。你没有测到频率。

32.768khz晶振应该接多大的电容

K的晶振常规的负载电容是15PF的，也可以指定的。

最常见的是15PF 。这个是最普遍的，还有是6PF。其他的各个负载也都五法八门的，根据不同的方案而不同。

KHZ的晶振通常是15PF，晶振两端的电容一般接到20PF就够了，另外这个电阻一般是1M的电阻，干嘛要接那么大的呢 你将这两个改了试试。

KHz的话，往往是圆柱形3*8或者2*6封装，匹配电容选15pF的；M级的晶振，比如4MHz，10592MHz，往往是选择49S封装的，匹配电容选20pF的。具体还是看你们自己电路板上设计的电容之类的情况。

单片机12M晶振的复位电路中所带的电容与电阻分别应该为多大?

晶振中是不会带有复位电路的，单片机复位电路中的电容与电阻参数要根据单片机要求的复位时间来确定。但是阻容复位现在已经属于被淘汰的落后复位方式，可靠性不好。

太大了，不能起振。一般在20~100pf之间选择，但有60~70时较稳定 。而典型的是30pf左右。复位电容和电阻都 太小了。最好选择典型的，至少要保证最小系统能工作，不然单片机还不正常，你的程序有没错，更不能确定了。

复位电路与工作频率是无关的，只要合符单片机需要的最小复位时间即可。一般复位时间会在单片机PDF中说明，不同单片机有不同的复位时间一般5~10ms即可。

stc89c52rc单片机复位电路可配10uf的复位电容和10k的电阻就行。

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